řada: TrenchFETMOSFET SIRA90DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 30 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
104 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
102 nC při 10 V
Breite
5.26mm
Propustné napětí diody
1.1V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.12mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,40
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,40
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,40 | € 7,00 |
| 50 - 120 | € 1,19 | € 5,95 |
| 125 - 245 | € 1,12 | € 5,60 |
| 250 - 495 | € 1,05 | € 5,25 |
| 500+ | € 0,98 | € 4,90 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
104 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
102 nC při 10 V
Breite
5.26mm
Propustné napětí diody
1.1V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.12mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products