MOSFET SIS415DNT-T1-GE3 P-kanálový 22 A 20 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
22 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
52 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
3.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
117 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,21
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
20
€ 0,21
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
20
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
22 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
52 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
3.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
117 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products