řada: TrenchFETMOSFET SISS23DN-T1-GE3 P-kanálový 27 A 20 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 814-1314PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: SISS23DN-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

27 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

11,5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.4V

Maximální ztrátový výkon

57 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Počet prvků na čip

1

Länge

3.3mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

195 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

3.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

0.78mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

MOSFET P-kanál, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 10,14

€ 0,507 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: TrenchFETMOSFET SISS23DN-T1-GE3 P-kanálový 27 A 20 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 10,14

€ 0,507 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: TrenchFETMOSFET SISS23DN-T1-GE3 P-kanálový 27 A 20 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

27 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

11,5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.4V

Maximální ztrátový výkon

57 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Počet prvků na čip

1

Länge

3.3mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

195 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

3.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

0.78mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

MOSFET P-kanál, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more