Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
27 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
11,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
57 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
195 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
3.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.78mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET P-kanál, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 10,14
€ 0,507 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 10,14
€ 0,507 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
27 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
11,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
57 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
195 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
3.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.78mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


