řada: TrenchFETMOSFET SISS27DN-T1-GE3 P-kanálový 23 A 30 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
23 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
57 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
92 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.78mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET P-kanál, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 853,20
€ 0,284 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 853,20
€ 0,284 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
23 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
57 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
92 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.78mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET P-kanál, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products