MOSFET SiSS61DN-T1-GE3 P-kanálový 111.9 A 20 V, PowerPAK 1212-8S, počet kolíků: 8 Jednoduchý

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
111.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8S
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
65.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±8 V
Počet prvků na čip
1
Breite
3.3mm
Länge
3.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
154 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.78mm
€ 1 159,20
€ 0,386 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 1 159,20
€ 0,386 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
111.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8S
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
65.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±8 V
Počet prvků na čip
1
Breite
3.3mm
Länge
3.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
154 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.78mm