řada: SQ RuggedMOSFET P-kanálový 3 A 12 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
92 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.45V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,4 nC při 4,5 V
Řada
SQ Rugged
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET P-kanál, řada SQ Rugged, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,49
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 0,49
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,49 | € 9,80 |
| 200 - 480 | € 0,39 | € 7,80 |
| 500 - 980 | € 0,32 | € 6,40 |
| 1000 - 1980 | € 0,24 | € 4,80 |
| 2000+ | € 0,19 | € 3,80 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
92 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.45V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,4 nC při 4,5 V
Řada
SQ Rugged
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET P-kanál, řada SQ Rugged, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products