Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
SQ Rugged
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
52 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.55mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET P-kanál, řada SQ Rugged, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 13,04
€ 0,652 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 13,04
€ 0,652 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
SQ Rugged
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
52 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.55mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET P-kanál, řada SQ Rugged, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products