MOSFET SUM50020E-GE3 N-kanálový 120 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.65mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.41mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
126 nC při 10 V
Höhe
4.82mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-kanál, TrenchFET až do Gen III, Vishay polovodič
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
800
P.O.A.
800
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.65mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.41mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
126 nC při 10 V
Höhe
4.82mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-kanál, TrenchFET až do Gen III, Vishay polovodič
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products