MOSFET SUP50020E-GE3 N-kanálový 120 A 60 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.65mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
126 nC při 10 V
Länge
10.51mm
Höhe
15.49mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-kanál, TrenchFET až do Gen III, Vishay polovodič
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,83
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 2,83
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 2,83 | € 5,66 |
| 20 - 98 | € 2,66 | € 5,32 |
| 100 - 198 | € 2,40 | € 4,80 |
| 200 - 498 | € 2,26 | € 4,52 |
| 500+ | € 2,12 | € 4,24 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.65mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
126 nC při 10 V
Länge
10.51mm
Höhe
15.49mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-kanál, TrenchFET až do Gen III, Vishay polovodič
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products