IGBT modul VS-GB75YF120UT N-kanálový 100 A 1200 V, ECONO2, počet kolíků: 35 Dvojitý poloviční můstek
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayMaximální stejnosměrný proud kolektoru
100 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
480 W
Konfiguration
Dual Half Bridge
Gehäusegröße
ECONO2
Montage-Typ
PCB Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
35
Konfigurace tranzistoru
Dual Half Bridge
Abmessungen
107.8 x 45.4 x 13.2mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
Italy
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly, Vishay
Vysoce účinné IGBT moduly Vishay jsou dodávány s různými technologiemi PT, NPT a Trench IGBT. Rozsah zahrnuje jednotlivé přepínače, invertory, choppery, poloviční můstky nebo vlastní konfigurace. Tyto IGBT moduly jsou určeny k použití jako hlavní spínací zařízení v režimu přepínání zdrojů napájení, zdroje nepřerušitelného napájení, svařování v průmyslu, pohony motorů a systémy korekce účiníku.
Mezi typické aplikace patří převodníky s podporou a snižováním směru, měniče pro jízdu vpřed a dva pro jízdu vpřed, polovičním mostem, mosty s plným zdvihem (H-bridge) a třífázové mosty.
Široká nabídka standardních stylů balení
Přímá montáž na chladič
Výběr technologií PT, NPT a Trench IGBT
IGBT s nízkým VCE(on)
Přepínání frekvence z 1 kHz na 150 kHz
Odolný výkon při přechodových stavech
Vysoké izolační napětí až 3500 V.
100 % olova (bez olova) a vyhovující směrnici RoHS
Nízký tepelný odpor
Široký rozsah provozních teplot (-40 °C až +175 °C)
IGBT Modules, Vishay
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayMaximální stejnosměrný proud kolektoru
100 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
480 W
Konfiguration
Dual Half Bridge
Gehäusegröße
ECONO2
Montage-Typ
PCB Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
35
Konfigurace tranzistoru
Dual Half Bridge
Abmessungen
107.8 x 45.4 x 13.2mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
Italy
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly, Vishay
Vysoce účinné IGBT moduly Vishay jsou dodávány s různými technologiemi PT, NPT a Trench IGBT. Rozsah zahrnuje jednotlivé přepínače, invertory, choppery, poloviční můstky nebo vlastní konfigurace. Tyto IGBT moduly jsou určeny k použití jako hlavní spínací zařízení v režimu přepínání zdrojů napájení, zdroje nepřerušitelného napájení, svařování v průmyslu, pohony motorů a systémy korekce účiníku.
Mezi typické aplikace patří převodníky s podporou a snižováním směru, měniče pro jízdu vpřed a dva pro jízdu vpřed, polovičním mostem, mosty s plným zdvihem (H-bridge) a třífázové mosty.
Široká nabídka standardních stylů balení
Přímá montáž na chladič
Výběr technologií PT, NPT a Trench IGBT
IGBT s nízkým VCE(on)
Přepínání frekvence z 1 kHz na 150 kHz
Odolný výkon při přechodových stavech
Vysoké izolační napětí až 3500 V.
100 % olova (bez olova) a vyhovující směrnici RoHS
Nízký tepelný odpor
Široký rozsah provozních teplot (-40 °C až +175 °C)
IGBT Modules, Vishay
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products