Dioda VS-VSKCS400/045 Usměrňovač se zotavením 400A 45V, TO-240AA, počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayMontage-Typ
Panel Mount
Gehäusegröße
TO-240AA
Maximální stejnosměrný propustný proud
400A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
45V
Typ usměrňovače
Usměrňovač se zotavením
Pinanzahl
3
Krajina pôvodu
India
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly, Vishay
Vysoce účinné IGBT moduly Vishay jsou dodávány s různými technologiemi PT, NPT a Trench IGBT. Rozsah zahrnuje jednotlivé přepínače, invertory, choppery, poloviční můstky nebo vlastní konfigurace. Tyto IGBT moduly jsou určeny k použití jako hlavní spínací zařízení v režimu přepínání zdrojů napájení, zdroje nepřerušitelného napájení, svařování v průmyslu, pohony motorů a systémy korekce účiníku.
Mezi typické aplikace patří převodníky s podporou a snižováním směru, měniče pro jízdu vpřed a dva pro jízdu vpřed, polovičním mostem, mosty s plným zdvihem (H-bridge) a třífázové mosty.
Široká nabídka standardních stylů balení
Přímá montáž na chladič
Výběr technologií PT, NPT a Trench IGBT
IGBT s nízkým VCE(on)
Přepínání frekvence z 1 kHz na 150 kHz
Odolný výkon při přechodových stavech
Vysoké izolační napětí až 3500 V.
100 % olova (bez olova) a vyhovující směrnici RoHS
Nízký tepelný odpor
Široký rozsah provozních teplot (-40 °C až +175 °C)
IGBT Modules, Vishay
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 45,53
Each (In a Box of 10) (bez DPH)
10
€ 45,53
Each (In a Box of 10) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Škatuľa |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 45,53 | € 455,30 |
| 20+ | € 43,25 | € 432,50 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayMontage-Typ
Panel Mount
Gehäusegröße
TO-240AA
Maximální stejnosměrný propustný proud
400A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
45V
Typ usměrňovače
Usměrňovač se zotavením
Pinanzahl
3
Krajina pôvodu
India
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly, Vishay
Vysoce účinné IGBT moduly Vishay jsou dodávány s různými technologiemi PT, NPT a Trench IGBT. Rozsah zahrnuje jednotlivé přepínače, invertory, choppery, poloviční můstky nebo vlastní konfigurace. Tyto IGBT moduly jsou určeny k použití jako hlavní spínací zařízení v režimu přepínání zdrojů napájení, zdroje nepřerušitelného napájení, svařování v průmyslu, pohony motorů a systémy korekce účiníku.
Mezi typické aplikace patří převodníky s podporou a snižováním směru, měniče pro jízdu vpřed a dva pro jízdu vpřed, polovičním mostem, mosty s plným zdvihem (H-bridge) a třífázové mosty.
Široká nabídka standardních stylů balení
Přímá montáž na chladič
Výběr technologií PT, NPT a Trench IGBT
IGBT s nízkým VCE(on)
Přepínání frekvence z 1 kHz na 150 kHz
Odolný výkon při přechodových stavech
Vysoké izolační napětí až 3500 V.
100 % olova (bez olova) a vyhovující směrnici RoHS
Nízký tepelný odpor
Široký rozsah provozních teplot (-40 °C až +175 °C)
IGBT Modules, Vishay
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products