MOSFET C2M0025120D N-kanálový 90 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý SiC
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1200 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
34 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
463 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+25 V
Breite
21.1mm
Materiál tranzistoru
SiC
Počet prvků na čip
1
Länge
16.13mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
161 nC při 20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
5.21mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
3.3V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.
• Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
• Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
• Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
• Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
• Ovládání odolné proti západky
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 83,26
€ 83,26 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
€ 83,26
€ 83,26 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1200 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
34 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
463 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+25 V
Breite
21.1mm
Materiál tranzistoru
SiC
Počet prvků na čip
1
Länge
16.13mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
161 nC při 20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
5.21mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
3.3V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.
• Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
• Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
• Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
• Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
• Ovládání odolné proti západky
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products