MOSFET C2M0160120D N-kanálový 19 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý SiC
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1200 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
196 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-5 V, +20 V
Breite
5.21mm
Länge
16.13mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34 nC při 20 V, 34 nC při 5 V
Materiál tranzistoru
SiC
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Höhe
21.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
3.3V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.
• Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
• Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
• Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
• Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
• Ovládání odolné proti západky
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 379,32
€ 12,644 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 379,32
€ 12,644 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1200 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
196 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-5 V, +20 V
Breite
5.21mm
Länge
16.13mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34 nC při 20 V, 34 nC při 5 V
Materiál tranzistoru
SiC
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Höhe
21.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
3.3V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.
• Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
• Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
• Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
• Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
• Ovládání odolné proti západky
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products