Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1700 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
78 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +25 V
Breite
10.99mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
SiC
Länge
10.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 20 V
Höhe
4.57mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
3.8V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.
Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
Ovládání odolné proti západky
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 8,01
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 8,01
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1700 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
78 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +25 V
Breite
10.99mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
SiC
Länge
10.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 20 V
Höhe
4.57mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
3.8V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.
Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
Ovládání odolné proti západky