Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1700 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
78 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 20 V
Breite
10.99mm
Materiál tranzistoru
SiC
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
3.8V
Höhe
4.57mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.
Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
Ovládání odolné proti západky
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 7,59
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 7,59
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 8 | € 7,59 | € 15,18 |
10 - 18 | € 7,12 | € 14,24 |
20 - 48 | € 6,95 | € 13,90 |
50 - 98 | € 6,76 | € 13,52 |
100+ | € 6,57 | € 13,14 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1700 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
78 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 20 V
Breite
10.99mm
Materiál tranzistoru
SiC
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
3.8V
Höhe
4.57mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.
Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
Ovládání odolné proti západky