DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

MOSFET C2M1000170J N-kanálový 5,3 A 1700 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC

Skladové číslo RS: 915-8833Značka: WolfspeedČíslo dielu výrobcu: C2M1000170J
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

1700 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

7

Maximální odpor kolektor/zdroj

1.4 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

78 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

10.23mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

13 nC při 20 V

Breite

10.99mm

Materiál tranzistoru

SiC

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

3.8V

Höhe

4.57mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET

Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.

• Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
• Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
• Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
• Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
• Ovládání odolné proti západky

MOSFET Transistors, Wolfspeed

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 7,59

Each (In a Pack of 2) (bez DPH)

MOSFET C2M1000170J N-kanálový 5,3 A 1700 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
Vyberte typ balenia

€ 7,59

Each (In a Pack of 2) (bez DPH)

MOSFET C2M1000170J N-kanálový 5,3 A 1700 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
2 - 8€ 7,59€ 15,18
10 - 18€ 7,12€ 14,24
20 - 48€ 6,95€ 13,90
50 - 98€ 6,76€ 13,52
100+€ 6,57€ 13,14

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

1700 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

7

Maximální odpor kolektor/zdroj

1.4 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

78 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

10.23mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

13 nC při 20 V

Breite

10.99mm

Materiál tranzistoru

SiC

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

3.8V

Höhe

4.57mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET

Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.

• Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
• Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
• Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
• Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
• Ovládání odolné proti západky

MOSFET Transistors, Wolfspeed

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more