MOSFET C3M0065090J N-kanálový 35 A 900 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
78 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Maximální ztrátový výkon
113 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+25 V
Länge
10.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 15 V
Breite
10.99mm
Materiál tranzistoru
SiC
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
4.57mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
4.4V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.
• Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
• Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
• Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
• Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
• Ovládání odolné proti západky
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 14,02
Each (bez DPH)
1
€ 14,02
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 14,02 |
| 10 - 24 | € 12,60 |
| 25 - 49 | € 12,25 |
| 50 - 99 | € 11,95 |
| 100+ | € 11,59 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
900 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
78 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Maximální ztrátový výkon
113 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+25 V
Länge
10.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 15 V
Breite
10.99mm
Materiál tranzistoru
SiC
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
4.57mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
4.4V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.
• Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
• Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
• Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
• Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
• Ovládání odolné proti západky
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products