Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
87 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1200 V
Gehäusegröße
Six Pack
Montage-Typ
Screw Mount
Pinanzahl
28
Maximální odpor kolektor/zdroj
63 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Maximální ztrátový výkon
312 W
Konfigurace tranzistoru
3 Phase
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip
6
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
108mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
180 nC při 10 V
Breite
47mm
Materiál tranzistoru
SiC
Propustné napětí diody
2.3V
Höhe
17mm
Podrobnosti o výrobku
Moduly MOSFET Wolfspeed Silicon Carbide Power
Moduly MOSFET s technologií Silicon Carbide Power od společnosti Wolfspeed, divize napájení společnosti Cree Inc. Tyto moduly SiC MOSFET jsou umístěny v průmyslových standardních baleních a jsou k dispozici ve formátech poloviční velikosti (2 tranzistory MOSFET) a 3fázové (6 tranzistorů MOSFET); jsou také vybaveny diodami pro reverzní obnovení SiC. Typické aplikace zahrnují indukční vytápění, solární a větrné měniče, DC-DC měniče, 3fázové PFC, jednotky pro regeneraci linek, UPS a SMPS, motorové pohony a nabíječky baterií.
Zvukový proud pro vypnutí MOSFET a budicí proud pro reverzaci diod jsou prakticky nulové.
Vysoce frekvenční provoz s velmi nízkou ztrátou
Soutěž díky vlastnostem SiC
Obvyklý, bezpečný provoz při poruše
Destilátor s měděnou základní deskou a hliníkovým nitridem snižuje tepelné požadavky
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
87 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1200 V
Gehäusegröße
Six Pack
Montage-Typ
Screw Mount
Pinanzahl
28
Maximální odpor kolektor/zdroj
63 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Maximální ztrátový výkon
312 W
Konfigurace tranzistoru
3 Phase
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip
6
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
108mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
180 nC při 10 V
Breite
47mm
Materiál tranzistoru
SiC
Propustné napětí diody
2.3V
Höhe
17mm
Podrobnosti o výrobku
Moduly MOSFET Wolfspeed Silicon Carbide Power
Moduly MOSFET s technologií Silicon Carbide Power od společnosti Wolfspeed, divize napájení společnosti Cree Inc. Tyto moduly SiC MOSFET jsou umístěny v průmyslových standardních baleních a jsou k dispozici ve formátech poloviční velikosti (2 tranzistory MOSFET) a 3fázové (6 tranzistorů MOSFET); jsou také vybaveny diodami pro reverzní obnovení SiC. Typické aplikace zahrnují indukční vytápění, solární a větrné měniče, DC-DC měniče, 3fázové PFC, jednotky pro regeneraci linek, UPS a SMPS, motorové pohony a nabíječky baterií.
Zvukový proud pro vypnutí MOSFET a budicí proud pro reverzaci diod jsou prakticky nulové.
Vysoce frekvenční provoz s velmi nízkou ztrátou
Soutěž díky vlastnostem SiC
Obvyklý, bezpečný provoz při poruše
Destilátor s měděnou základní deskou a hliníkovým nitridem snižuje tepelné požadavky