Snímač přiblížení 1,5 mm, výstup: PNP Válcový M8 x 1 200 mA 12 → 30 V DC IP67 1kHz
Technické dokumenty
Špecifikácie
Styl těla
Barrel
Ochrana proti obrácené polaritě
Yes
Ochrana proti zkratu a přetížení
Yes
Pro použití s HMI
X2
Stínění
Shielded
Maximální spínací frekvence
1kHz
Velikost závitu
M8 <font face="symbol">´</font> 1
Maximální stejnosměrné napětí
30V
Betriebstemperatur min.
-25°C
Maximální provozní teplota
+70°C
Stupeň krytí IP
IP67
Typ montáže
Flush
Materiál pouzdra
CuZn
Spínací proud
200 mA
Rozsah detekce
1.5 mm
Brand
BALLUFFTyp výstupu
PNP
Typ svorky
3kolíkový konektor M8
Délka
60mm
Napájecí napětí
12→ 30 V stejnosm
Krajina pôvodu
Hungary
Podrobnosti o výrobku
Cote-Pack IGBT až 20A, Infineon
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) od společnosti Infineon poskytují rozšiřující šasi kompletní řadu možností, které zajišťují, že je vaše applikace pokryta. Vysoké hodnoty účinnosti umožňují použití tohoto rozsahu IGBT v široké škále aplikací a díky nízkým spínacím ztrátám mohou podporovat různé frekvence přepínání.
IGBT je společně zabaleno s velmi rychlou, měkkou antiparalelní diodou pro využití v přemosťovacích konfiguracích
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 48,42
Each (bez DPH)
1
€ 48,42
Each (bez DPH)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Styl těla
Barrel
Ochrana proti obrácené polaritě
Yes
Ochrana proti zkratu a přetížení
Yes
Pro použití s HMI
X2
Stínění
Shielded
Maximální spínací frekvence
1kHz
Velikost závitu
M8 <font face="symbol">´</font> 1
Maximální stejnosměrné napětí
30V
Betriebstemperatur min.
-25°C
Maximální provozní teplota
+70°C
Stupeň krytí IP
IP67
Typ montáže
Flush
Materiál pouzdra
CuZn
Spínací proud
200 mA
Rozsah detekce
1.5 mm
Brand
BALLUFFTyp výstupu
PNP
Typ svorky
3kolíkový konektor M8
Délka
60mm
Napájecí napětí
12→ 30 V stejnosm
Krajina pôvodu
Hungary
Podrobnosti o výrobku
Cote-Pack IGBT až 20A, Infineon
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) od společnosti Infineon poskytují rozšiřující šasi kompletní řadu možností, které zajišťují, že je vaše applikace pokryta. Vysoké hodnoty účinnosti umožňují použití tohoto rozsahu IGBT v široké škále aplikací a díky nízkým spínacím ztrátám mohou podporovat různé frekvence přepínání.
IGBT je společně zabaleno s velmi rychlou, měkkou antiparalelní diodou pro využití v přemosťovacích konfiguracích
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.