Dioda D5-1A 100mA 80V Silikonový přechod 4ns, SIP, počet kolíků: 5 1.2V Silikonový přechod
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BeckmanMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
SIP
Maximální stejnosměrný propustný proud
100mA
Špičkové závěrné napětí opakovaně
80V
Diodová konfigurace
Společná anoda
Typ diody
Silikonový přechod
Pinanzahl
5
Maximální pokles propustného napětí
1.2V
Anzahl der Elemente pro Chip
4
Diodová technologie
Silicon Junction
Doba obnovení špičkové závěrné hodnoty
4ns
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
300mA
Podrobnosti o výrobku
Jednořadové diodové pole, řada D, Beckman
Konformní sítě diod s povrchovou úpravou
Společné konfigurace katoda/společná anoda nebo izolované obvody
Prostorově úsporný balíček
Diodes and Rectifiers, Beckman
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BeckmanMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
SIP
Maximální stejnosměrný propustný proud
100mA
Špičkové závěrné napětí opakovaně
80V
Diodová konfigurace
Společná anoda
Typ diody
Silikonový přechod
Pinanzahl
5
Maximální pokles propustného napětí
1.2V
Anzahl der Elemente pro Chip
4
Diodová technologie
Silicon Junction
Doba obnovení špičkové závěrné hodnoty
4ns
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
300mA
Podrobnosti o výrobku
Jednořadové diodové pole, řada D, Beckman
Konformní sítě diod s povrchovou úpravou
Společné konfigurace katoda/společná anoda nebo izolované obvody
Prostorově úsporný balíček