Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
256kbit
Organizace
32k x 8 bitů
Typ rozhraní
SPI
Šířka datové sběrnice
8bit
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
8
Abmessungen
4.978 x 3.987 x 1.478mm
Länge
4.98mm
Breite
3.987mm
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Höhe
1.478mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Počet slov
32K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Počet bitů na slovo
8bit
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
F-RAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Velikost paměti
256kbit
Organizace
32k x 8 bitů
Typ rozhraní
SPI
Šířka datové sběrnice
8bit
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
8
Abmessungen
4.978 x 3.987 x 1.478mm
Länge
4.98mm
Breite
3.987mm
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Höhe
1.478mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2,7 V
Počet slov
32K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Počet bitů na slovo
8bit
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
F-RAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.