Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1.5 A
Kollektor-Emitter-
700 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
1.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Maximální provozní frekvence
4 MHz (min.)
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
4.7 x 3.7 x 4.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory, Diod Inc
Transistors, Diodes Inc
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1.5 A
Kollektor-Emitter-
700 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
1.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Maximální provozní frekvence
4 MHz (min.)
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
4.7 x 3.7 x 4.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku