Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.8 A, 9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
DMC3016LNS
Gehäusegröße
PDI3333
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ, 38 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2 V, 2.4 V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2 V, 1.4 V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19,7 nC při 15 V, 21 nC při 15 V
Breite
3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
20
P.O.A.
Štandardný
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.8 A, 9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
DMC3016LNS
Gehäusegröße
PDI3333
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ, 38 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2 V, 2.4 V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2 V, 1.4 V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19,7 nC při 15 V, 21 nC při 15 V
Breite
3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku