Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
20V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,87 nC při 10 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,03
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
100
€ 0,03
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
20V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,87 nC při 10 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku