Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SO
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
32 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
3.95mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
4.95mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19,1 nC při 10 V
Höhe
1.5mm
Řada
DMN
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SO
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
32 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
3.95mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
4.95mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19,1 nC při 10 V
Höhe
1.5mm
Řada
DMN
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku