Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
V-DFN3333
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
13 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.4 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±25 V
Breite
3.35mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64,2 nC při 10 V
Höhe
0.78mm
Řada
DMP
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,27
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 0,27
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
V-DFN3333
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
13 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.4 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±25 V
Breite
3.35mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64,2 nC při 10 V
Höhe
0.78mm
Řada
DMP
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku