Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Kollektor-Emitter-
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Univerzální tranzistory PNP, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Kollektor-Emitter-
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku