Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-100 mA
Kollektor-Emitter-
-65 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Počet kolíků
6
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Duální bipolární tranzistory se zápisem, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,071
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
50
€ 0,071
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-100 mA
Kollektor-Emitter-
-65 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Počet kolíků
6
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Podrobnosti o výrobku