Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-100 mA
Kollektor-Emitter-
-30 V
Gehäusegröße
SOT-143
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Minimální proudový zisk DC
420
Konfigurace tranzistoru
Proudové zrcadlo
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Univerzální tranzistory PNP, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-100 mA
Kollektor-Emitter-
-30 V
Gehäusegröße
SOT-143
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Minimální proudový zisk DC
420
Konfigurace tranzistoru
Proudové zrcadlo
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku