Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
1 A
Kollektor-Emitter-
45 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
2.2 V
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.8 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.5mm
Höhe
1.6mm
Breite
3.5mm
Abmessungen
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
1 A
Kollektor-Emitter-
45 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
2.2 V
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.8 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.5mm
Höhe
1.6mm
Breite
3.5mm
Abmessungen
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Podrobnosti o výrobku