Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220 FP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
770 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
32 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.65mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Breite
4.9mm
Počet prvků na čip
1
Höhe
16.15mm
Řada
CoolMOS P6
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™E6/P6 - výkonový MOSFET
Řada Infineon MOSFET řady CoolMOS ™ E6 a P6. Tato vysoce účinná zařízení lze používat v několika aplikacích, včetně korekce účiníku (PFC), osvětlení a spotřebního zařízení a také v solárních, telekomunikačních a serverech.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220 FP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
770 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
32 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.65mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Breite
4.9mm
Počet prvků na čip
1
Höhe
16.15mm
Řada
CoolMOS P6
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™E6/P6 - výkonový MOSFET
Řada Infineon MOSFET řady CoolMOS ™ E6 a P6. Tato vysoce účinná zařízení lze používat v několika aplikacích, včetně korekce účiníku (PFC), osvětlení a spotřebního zařízení a také v solárních, telekomunikačních a serverech.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.