DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: HEXFETMOSFET IRF9317TRPBF P-kanálový 16 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 827-3916Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRF9317TRPBF
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

16 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

10,2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

31 nC při 4,5 V, 61 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 30V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,69

Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF9317TRPBF P-kanálový 16 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 0,69

Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF9317TRPBF P-kanálový 16 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
20 - 80€ 0,69€ 13,80
100 - 180€ 0,54€ 10,80
200 - 480€ 0,51€ 10,20
500 - 980€ 0,47€ 9,40
1000+€ 0,44€ 8,80

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

16 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

10,2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

31 nC při 4,5 V, 61 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 30V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more