Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
Si4435DYPbF
Gehäusegröße
SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
40 nC při 10 V
Breite
4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5mm
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 877,94
€ 0,219 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
€ 877,94
€ 0,219 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
Si4435DYPbF
Gehäusegröße
SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
40 nC při 10 V
Breite
4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5mm
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V