Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
SIPMOS®
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
42 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.5mm
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.3mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 5,36
€ 0,536 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 5,36
€ 0,536 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,536 | € 5,36 |
100 - 240 | € 0,51 | € 5,10 |
250 - 490 | € 0,488 | € 4,88 |
500 - 990 | € 0,466 | € 4,66 |
1000+ | € 0,434 | € 4,34 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
SIPMOS®
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
42 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.5mm
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.3mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.