Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: SIPMOS®MOSFET SPP80P06PHXKSA1 P-kanálový 80 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 914-0194PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: SPP80P06PHXKSA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

SIPMOS®

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

23 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.1V

Maximální ztrátový výkon

340 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Breite

4.57mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.36mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

115 nC při 10 V

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.6V

Podrobnosti o výrobku

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET

Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.

· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 89,32

€ 3,573 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

řada: SIPMOS®MOSFET SPP80P06PHXKSA1 P-kanálový 80 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 89,32

€ 3,573 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

řada: SIPMOS®MOSFET SPP80P06PHXKSA1 P-kanálový 80 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaTuba
25 - 45€ 3,573€ 17,86
50 - 120€ 3,333€ 16,66
125 - 245€ 3,097€ 15,49
250+€ 2,86€ 14,30

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

SIPMOS®

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

23 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.1V

Maximální ztrátový výkon

340 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Breite

4.57mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.36mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

115 nC při 10 V

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.6V

Podrobnosti o výrobku

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET

Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.

· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more