Technické dokumenty
Špecifikácie
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,2 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5mm
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
5
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,2 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5mm
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm