Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
330 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
9 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +0,6 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+125 °C
Länge
3.05mm
Breite
1.75mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-25 °C
Höhe
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET LND01 N-Channel
Microchip LND01 je nízkoprahová tranzistor MOSFET (běžně zapnutý), depleční režim. Konstrukce kombinuje možnosti manipulace s výkonem bipolárního tranzistoru s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním součinitelem zařízení MOS.
Charakteristiky
Obousměrné provedení
Nízký odpor při zapnutí
Nízká vstupní kapacita
Rychlé přepínání
Impedance vysokého vstupu a vysoké zesílení
Požadavky na jednotku s nízkým výkonem
Snadné paralelní ovládání
MOSFET Transistors, Microchip
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
330 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
9 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +0,6 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+125 °C
Länge
3.05mm
Breite
1.75mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-25 °C
Höhe
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET LND01 N-Channel
Microchip LND01 je nízkoprahová tranzistor MOSFET (běžně zapnutý), depleční režim. Konstrukce kombinuje možnosti manipulace s výkonem bipolárního tranzistoru s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním součinitelem zařízení MOS.
Charakteristiky
Obousměrné provedení
Nízký odpor při zapnutí
Nízká vstupní kapacita
Rychlé přepínání
Impedance vysokého vstupu a vysoké zesílení
Požadavky na jednotku s nízkým výkonem
Snadné paralelní ovládání