Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
2
Minimální proudový zisk DC
4000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
100nA
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Länge
3mm
Höhe
1mm
Breite
1.4mm
Abmessungen
3 x 1.4 x 1mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Darlington Transistory, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,09
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
300
€ 0,09
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
300
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
300 - 500 | € 0,09 | € 9,05 |
600 - 1100 | € 0,071 | € 7,12 |
1200 - 2300 | € 0,067 | € 6,73 |
2400+ | € 0,066 | € 6,57 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
2
Minimální proudový zisk DC
4000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
100nA
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Länge
3mm
Höhe
1mm
Breite
1.4mm
Abmessungen
3 x 1.4 x 1mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku