MOSFET BSS84AKS,115 P-kanálový 160 mA 50 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 792-0917Značka: NexperiaČíslo dielu výrobcu: BSS84AKS
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

160 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

50 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

7,5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.1V

Maximální ztrátový výkon

320 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

2.2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

0,26 nC při 5 V

Breite

1.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Duální, S-kanálem MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,321

Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)

MOSFET BSS84AKS,115 P-kanálový 160 mA 50 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

€ 0,321

Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)

MOSFET BSS84AKS,115 P-kanálový 160 mA 50 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

160 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

50 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

7,5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.1V

Maximální ztrátový výkon

320 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

2.2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

0,26 nC při 5 V

Breite

1.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Duální, S-kanálem MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more