Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-1 A
Kollektor-Emitter-
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
-1,9 V
Maximální bázové napětí kolektoru
-90 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-1.3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-50nA
Höhe
1.6mm
Breite
2.6mm
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
4.6mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Darlington Transistory, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,17
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 0,17
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-1 A
Kollektor-Emitter-
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
-1,9 V
Maximální bázové napětí kolektoru
-90 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-1.3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-50nA
Höhe
1.6mm
Breite
2.6mm
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
4.6mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku