Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA, 330 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V, 60 V
Gehäusegröße
SOT-666
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.6 Ω, 13.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,26 nC při 5 V, 0,5 nC při 4,5 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Podrobnosti o výrobku
Duální, N/P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
50
P.O.A.
Štandardný
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA, 330 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V, 60 V
Gehäusegröße
SOT-666
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.6 Ω, 13.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,26 nC při 5 V, 0,5 nC při 4,5 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Podrobnosti o výrobku