Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
PCP
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
PCP
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
4.5 x 2.5 x 1.5mm