Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Kollektor-Emitter-
45 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Minimální proudový zisk DC
420
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,087
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
200
€ 0,087
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
200
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Kollektor-Emitter-
45 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Minimální proudový zisk DC
420
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.