Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Maximální stejnosměrný propustný proud
20A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
45V
Diodová konfigurace
Společná katoda
Typ diody
Schottky
Pinanzahl
3
Maximální pokles propustného napětí
840mV
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
150A
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Maximální stejnosměrný propustný proud
20A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
45V
Diodová konfigurace
Společná katoda
Typ diody
Schottky
Pinanzahl
3
Maximální pokles propustného napětí
840mV
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
150A