Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
25 → 75mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
60 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Breite
1.3mm
Höhe
0.94mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
25 → 75mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
60 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Breite
1.3mm
Höhe
0.94mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.