Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
40 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.1mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
40 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.1mm