Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-500 mA
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
-10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Minimální proudový zisk DC
5000
Maximální bázové napětí kolektoru
-30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-1,5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-100nA
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-500 mA
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
-10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Minimální proudový zisk DC
5000
Maximální bázové napětí kolektoru
-30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-1,5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-100nA
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.