Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
49 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 4,5 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
49 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 4,5 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C