Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
210 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
5.1mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
75 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
210 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
110 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
5.1mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
75 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V