Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
30 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
40 V
Gehäusegröße
TO-204AA
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
50 kHz
Pinanzahl
2
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+200 °C
Abmessungen
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
30 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
40 V
Gehäusegröße
TO-204AA
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
50 kHz
Pinanzahl
2
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+200 °C
Abmessungen
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.