Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
16 to 32mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-15V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CP
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
10pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.9pF
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
1.1mm
Breite
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,35
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 0,35
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
20 - 20 | € 0,35 | € 7,00 |
40 - 80 | € 0,27 | € 5,40 |
100 - 180 | € 0,19 | € 3,80 |
200 - 380 | € 0,18 | € 3,60 |
400+ | € 0,16 | € 3,20 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
16 to 32mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-15V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CP
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
10pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.9pF
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
1.1mm
Breite
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.